国产光刻胶经过量产验证：120nm分辨率 配方全自主规划
发布日期： 2024-12-24 | 作者：新闻中心
武汉太紫微光电科技有限公司（以下简称“太紫微公司”）推出的T150 A光刻胶产品，经过半导体工艺量产验证。
T150 A光刻胶完成配方全自主规划，对标世界头部企业干流KrF光刻胶系列。
据介绍，相较于国外同系列新产品UV1610，T150 A在光刻工艺中体现出的极限分辨率到达120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优异。
经过验证发现T150 A中密布图形经过刻蚀，基层介质的侧壁笔直度体现优异。
资料显现，太紫微企业成立于2024年5月，由华中科技大学武汉光电国家研究中心团队创建。
光刻胶又称光致抗蚀剂，是指经过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照耀或辐射，其溶解度产生显着的改变的耐蚀剂刻薄膜资料。